，完成低噪声放大及变频功能，既把馈源输出的4GHz信号放大，再降频为950-2150MHz第一中频信号。高频头的作用就是将微弱的视频信号进行放大，并且对传输不稳定引起的图像变形与干扰进行处理。视频处理芯片决定影像的分辨率，而高频头则决定影像的稳定性。但高频头...变容二极管
；1) 设室温情况下某二极管的反偏电压绝对值为1V,则当其反偏电压值减少100mV时,反向电流的变化是基本不发生变化。 2) 二极管发生击穿后,在击穿区的曲线很陡,反向电流变化很大,但两端的电压降却几乎不变。 3) 二极管的反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两类。 4) 齐纳击穿的反向击穿电压小于6V。 5) 二极管电击穿...；1）LC2左端的电路及元器件构成，是个典型的克拉泼电容三点式振荡电路；2）改变Cj值就可改变振荡频率，要改变Cj是需要给变容二极管施加不同的反偏置电压；3）Rw提供一个基准的反偏电压，即由其决定电路的中心频率，而调制信号VΩ就叠加在RW的基准电压上，从而实现对中心频率的调制；；检波二极管在电子电路中用来把调制在高频电磁波上的低频信号(如音频信号)检出来。一般高频检波电路选用锗点接触型检波二极管。它的结电容小,反向电流小,工作频率高。6、变容变容二极管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二极管",是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、...。
1. 原理详解变容二极管核心特性是其结电容与反向偏压的非线性关系，表达式为：$C_j=\frac{C_{j0}}{(1+\frac{U_R}{U_D})^n}$（其中$C_{j0}$为零偏电容，$U_D$为内建电位差，$n$为变容指数）。当调制信号$u_{\Omega}(t)$叠加于直流偏压$U_0$时，反向偏压$U_R=U_0+u_{\O...；稳压二极管基于pn结反向击穿状态，能保持电压基本不变，变化范围内的电流可有很大波动，用于稳定电压。肖特基二极管，一种低功耗、超高速半导体器件，其反向恢复时间极短，正向导通压降低，常用于高频、低压、大电流整流、续流、保护电路中，以及微波通信等。变容二极管利用pN结反偏时结电容大小随外加电压变化...；切变:即剪切变形（即是媒质各层之间发生平行于这些层的粗对移动）容变:即拉伸和压缩形变.。
稳压二极管的结电容通常为几皮法到上百皮法，具体数值需结合型号和反偏电压判断。1. 影响结电容的核心因素 稳压二极管结电容的大小主要与结构工艺和反偏电压相关： - 结构上，半导体材料的掺杂浓度、PN结面积会影响电容； - 反偏电压升高时，耗尽层变宽，电容值会减小。 2. 典型数值范围 - ...；是指加在开关管两端的反向电压不能超过规定的允许值。⑷正向电流是指开关二极管在正向工作电压下工作时,允许通过开关管的正向电流。⒏变容二极管变容二极管使利用PN结空间电荷具有电容特性的原理制成的特殊二极管。变容二极管为反偏二极管,其结电容就是耗尽层的电容,一次可以近似把耗尽层看作为平行板电容,且导电板之间...。
PIN二极管的直流伏安特性和PN结二极管相同，但在微波频段却表现出本质的差异。由于PIN二极管I层的总电荷主要由偏置电流决定，而不是微波电流瞬时值产生的，所以对微波信号只呈现一个线性电阻。此外，PIN二极管与变容二极管有相似之处，但工作原理不同。变容二极管是利用电压控制改变其电容值，而PIN二极管则是受电流；PN结加反偏时，PN结交界处存在势垒区。P型层与N型层之间出现耗尽区（空间电荷区），类似电容器的绝缘层，而P、N区充当电容的两个极板，该电容的数值可以根据平板电容相似的理论加以计算。当所加的反向电压增加时，会使耗尽区变宽，相当于极板距离加大，根据平板电容的理论，结电容量就会减小；反之反向...；特性：低功耗、超高速半导体器件，反向恢复时间极短，正向导通压降低，常用于高频、低压、大电流整流、续流、保护电路中，以及微波通信等。标识：通常以“S”或“SKY”开头，后跟其型号及封装形式来标识。变容二极管：特性：利用PN结反偏时结电容大小随外加电压变化的特性，电容量较小，最大值几十到几...。
1、变容二极管的作用是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器 变容二极管与反向偏压 件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。 变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的，如右图所示。 2...；机械式高频头已被电子调谐式高频头取代。 （3）电子调谐式高频头又分为：模拟电子调谐和数字电子调谐两种方式。采用模拟方式的电子调谐器是通过改变加在变容二极管上的反偏电压，从而改变变容二极管的电容量来改变调谐频率，实现频道转换 作用：（1） 选频：从天线接收到的各种电信号中选择所需要...；变容二极管是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。当反偏电压增大时，结电容减小；反之，结电容增大。变容二极管的电容量一般较小，其最大值为几十pF到几百pF，最大电容与最小电容之比约为5:1。因此，测试时需要精确测量其在不同偏置电压下的电容值。三、测试设备 TH2840B 精密LCR数字电桥：该设备内置±40V的。
